2023.01.25
▶ 5.7kV rms 및 1.5kV rms LVDS 아이솔레이터▶ TIA/EIA-644-A LVDS 신호 레벨 준수▶ 쿼드 채널 구성(ADN4622: 2 + 2, ADN4624: 4 + 0)▶ 낮은 지터로 최대 2.5Gbps 스위칭의 모든 데이터 속도 - 4개 채널에서 총 대역폭 10Gbps - 2.15ns 일반 전파 지연 - 일반 지터: 0.82ps rms 랜덤, 40ps 총 피크▶ 저전력 1.8V 공급 장치▶ 절연 장벽 전체에서 ±8kV IEC 61000-4-2 ESD 보호▶ 높은 공통 모드 과도 내성: 통상 100kV/μs
2023.01.23
▶ VOUT 범위: 0.5~3.65V▶ 2MHz 스위칭 주파수▶ 낮은 리플 Burst Mode® 또는 강제 연속 작동 모드▶ 고효율: 30mΩ NMOS, 100mΩ PMOS▶ 피크 전류 모드 제어▶ 최소 온 타임: 22ns▶ 넓은 대역폭, 빠른 과도 응답▶ 과부하 시 인덕터 포화를 안전하게 허용
2023.01.12
▶ 수신 경로에 전력 제한기가 통합된 고전력 송수신 스위치▶ 주파수 범위: 6GHz ~ 12GHz▶ 반사형 50Ω 디자인▶ 낮은 삽입 손실▶ 고차단: TX 선택 시 TX에서 RX로 55dB 일반▶ 고전력 처리(TCASE = 50°C)▶ TX 입력: 펄스 40dBm, 15% 듀티 사이클에서 >100ns 펄스 폭▶ RX 플랫 누설: 17dBm▶ 높은 선형성▶ 빠른 스위칭 시간: 50ns▶ 빠른 응답 및 복구 시간: <10ns▶ 저주파 스퓨리어스가 없는 이중 공급▶ 포지티브 제어 인터페이스: CMOS-/LVTTL 호환▶ 20리드, 3mm × 3mm LGA 패키지▶ ADRF5144와 호환되는 핀
2023.01.05
▶ 단일 인덕터 아키텍처로 VIN이 규제된 VOUT보다 높거나 낮거나 같을 수 있음▶ 동기 정류: 최대 98% 효율▶ 넓은 VIN 전압 범위: 5~70V▶ ±1% 출력 전압 정확도: 1V ≤ VOUT ≤ 70V▶ DCR 또는 RSENSE 전류 감지▶ 벅/부스트/벅-부스트 모드에서 피크 전류 모드 제어▶ 프로그래밍 가능한 입력 또는 출력 전류 조절▶ 7V NMOS 게이트 드라이버▶ 위상 잠금 가능 주파수(100kHz~600kHz)▶ 다상/다중 IC 병렬 작동▶ 선택 가능한 연속 또는 펄스 스키핑 모드 작동 및 인덕터 피크 전류 제한▶ 소형 32리드 5mm × 5mm QFN 패키지
2022.12.28
▶ 수신 경로에 전력 제한기가 통합된 고전력 송수신 스위치▶ 주파수 범위: 6GHz ~ 12GHz▶ 반사형 50Ω 디자인▶ 낮은 삽입 손실▶ 고차단: TX 선택 시 TX에서 RX로 55dB 일반▶ 고전력 처리(TCASE = 50°C)▶ TX 입력: 펄스 40dBm, 15% 듀티 사이클에서 >100ns 펄스 폭▶ RX 플랫 누설: 17dBm▶ 높은 선형성▶ 빠른 스위칭 시간: 50ns▶ 빠른 응답 및 복구 시간: <10ns▶ 저주파 스퓨리어스가 없는 이중 공급▶ 포지티브 제어 인터페이스: CMOS-/LVTTL 호환▶ 20리드, 3mm × 3mm LGA 패키지▶ ADRF5144와 호환되는 핀▶