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40 A 소스 및 30 A 싱크, 슬루 레이트 컨트롤 및 BIST를 갖춘 SiC 절연 게이트 드라이버

▶40 A 소스, 30 A 싱크 피크 단락(일반적) 드라이브 출력 ▶20 일반적인 애플리케이션에서 최대 드라이브 전류(일반적) ▶채널당 출력 전원 장치 저항 0.38 ω(표준) ▶1500V 피크 및 DINEN IEC 60747-17까지의 DC 동작 전압 ▶SPI를 통한 슬루 레이트 컨트롤 ▶낮은 전파 지연(108ns 일반) ▶60ns 최소 펄스 폭 ▶양극성 및 단극성 2차 측 공급 기능 >VDD1: 4.4 V to 7 V >VDD2 to VSS2: 15 V to 23 V >VDD2 to GND2: 12 V to 23 V >VSS2 ~ GND2 : -5 V ~ -3.25 V (양극 공급 모드) >VSS2~GND2: 0V(단극 공급 모드) ▶보호 기능: ▶DESAT ? SiC 드레인 감지, 7V(표준) 임계값 >프로그래밍 가능 내부 DESAT 블랭크 시간 ▶ASC 핀, 보조 사이드 드라이버 켜기 컨트롤 ▶외부밀러클램프 ▶소프트 셧다운, 1μs 기능, 외부 저항으로 조정 가능 ▶VDD2에서 VSS2 OVP로, VDD2에서 VSS2 UVP로 프로그래밍 가능 ▶VSS2 to GND2 OVP and UVP ▶고장 보고 핀을 통한 절연된 고장 차별화 ▶SiC 스위치 절연 온도 감지 >1kHz PWM 및 SPI 레지스터 읽기 >온도 감지 다이오드 스택 >외부 저항 네트워크를 사용하여 NTC와 호환 가능 ▶BIST(Built-In Self Test) ▶SPI ▶구성 가능성을 위한 비휘발성 EEPROM 레지스터 ▶고장보고정보 ▶작동 접점 온도 범위: -40 ºC ~ +150 ºC ▶28-리드, SOIC_W_FP 패키지로 제공 ▶AEC-Q100은 자동차 용도에 적합합니다