Microsemi SiC 모듈 기반의 고전력 절연 게이트 드라이버 보드 - 한국 아나로그디바이스 | Analog Devices

: ADI의 ADP5091을 이용한 에너지 하베스팅

: LTC33XX, 5V 동기식 스텝 다운 무소음 스위처 제품군

: 배터리 관리 시스템 : 완전한 신호 체인

: 완전 자동화 된 전도도 측정 시스템

Video 설명

Microsemi SiC 모듈 기반의 고전력 절연 게이트 드라이버 보드

이 비디오는 평가 보드를 이용한 아나로그디바이스의 ADuM4135 고전력 절연 게이트 드라이버에 대한 데모입니다. ADuM4135는 Microsemi SiC 전력 모듈을 구동합니다. 이 평가 보드는 아나로그디바이스와 Microsemi의 파트너십을 기반으로 구현되었습니다.

관련 제품 정보

- 4 A peak drive output capability
- Output power device resistance: <1 Ω
- Desaturation protection
- Isolated desaturation fault reporting
- Soft shutdown on fault
- Miller clamp output with gate sense input
- Isolated fault and ready functions
- Low propagation delay: 55 ns typical
- Minimum pulse width: 50 ns
- Operating temperature range: −40°C to +125°C
- Output voltage range to 30V
- Input voltage range from 2.3 V to 6 V
- Output and input undervoltage lockout (UVLO)
- Creepage distance: 7.8 mm minimum
- 100 kV/µs common-mode transient immunity (CMTI)
- 20 year lifetime for 600 V rms or 1092 V dc working voltage
- Safety and regulatory approval- s
- 5 kV ac for 1 minute per UL 1577
- CSA Component Acceptance Notice 5A
- DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
- VIORM = 849 V peak (reinforced/basic)